Parole chiave:
Dispositivi nanometrici in silicio
Memorie a cambiamento di fase
Dispositivi ovonici
Simulazione numerica
Transistori a nanotubi di carbonio
Le dimensioni fisiche dai dispositivi hanno raggiunto alcuni dei
limiti fondamentali dei materiali e dei processi di fabbricazione:
attualmente sono necessari strutture e materiali innovativi che
garantiscano la continua evoluzione della tecnologia. I principali
candidati sono le architetture MOS a due o più gate e dispositivi a
nanotubi di carbonio. La prima linea di ricerca affronta questi
aspetti dell'innovazione tecnologica migliorando e sviluppando
strumenti di simulazione numerica. Obiettivo della seconda linea di
ricerca è invece quello di definire nuovi modelli fisici che
rendano accurata l'applicazione della simulazione numerica,
permettendo lo sviluppo di metodologie innovative per la
progettazione di dispositivi. Terza linea di ricerca è dedicata
all'analisi dell'applicazione di dispositivi nanometrici a stato
solido al campo dell'elaborazione quantistica dell'informazione.
Obiettivo finale è lo studio di realizzabilità di porte logiche
quantistiche fondamentali.La quarta linea di ricerca si riferisce a
dispositivi di memoria nanometrici di tipo "ovonico" e di tipo a
cambiamento di fase. Tali dispositivi, la cui fattibilita' e' stata
dimostrata nel 2009, sono attualmente quelli che meglio si prestano
alla scalabilita' nella regione nanometrica.
Il continuo miglioramento delle prestazioni della tecnologia
microelettronica si basa principalmente sulla riduzione delle
dimensioni geometriche dei dispositivi. Attualmente le dimensioni
fisiche dai dispositivi hanno raggiunto alcuni dei limiti
fondamentali dei materiali e dei processi di fabbricazione e quindi
è nata un stringente necessità di strutture e materiali innovativi
con cui si possa continuare l'evoluzione della tecnologia. I
principali candidati sono architetture MOS a due o più gate, che
possono essere scalati in modo più aggressivo rispetto alle
architetture standard a singolo gate, e, in una prospettiva più a
lungo termine, dispositivi a nanotubi di carbonio in sostituzione
del silicio. La linea di ricerca sulla modellistica di dispositivi
avanzati affronta questi aspetti dell'innovazione tecnologica di
medio e lungo periodo, migliorando e sviluppando strumenti di
simulazione numerica con cui si possano analizzare in modo accurato
le prestazioni e l'ottimizzazione delle nuove architetture e
l'introduzione dei nuovi materiali. Nonostante si faccia già uso
intenso di strumenti software per l'analisi e la progettazione dei
dispositivi, tuttavia rimangono ancora carenti alcuni modelli
fisici di importanza strategica. In particolare, gli effetti delle
alte temperature come l'instabilità termica e la rottura delle
giunzioni in dispositivi di potenza o in circuiti di protezione da
scariche elettrostatiche non sono del tutto compresi e mancano di
una descrizione fisica accurata. Obiettivo della linea di ricerca
sui modelli fisici per la simulazione numerica di dispositivi è
quello di colmare tali carenze permettendo lo sviluppo di una
metodologia per la progettazione di dispositivi robusti basata
sull'uso della simulazione numerica dei dispositivi stessi. La
riduzione delle dimensioni dei singoli dispositivi ha inoltre
aperto nuovi campi di ricerca nell'ambito dell'applicazione della
meccanica quantistica alla teoria dell'informazione. La linea di
ricerca sulla computazione quantistica è dedicata all'analisi
dell'applicazione di dispositivi nanometrici a stato solido al
campo dell'elaborazione quantistica dell'informazione. Attualmente
un certo numero di prototipi sperimentali è stato presentato in
letteratura. Tuttavia, molti dei sistemi fisici utilizzati non sono
a stato solido. Obiettivo della linea di ricerca sulla computazione
quantistica è quello di mostrate la realizzabilità di un sistema
fisico nanometrico a stato solido per tali applicazioni.