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First cycle degree programmes dissertations
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- Calibrazione del modello ASM-HEMT per dispositivi basati su GaN con barriera in AlGaN e AlScN con confronto delle prestazioni
- Proprietà dei materiali polimerici compositi per incapsulamento di circuiti integrati
- Stato dell'arte della tecnologia di barriera di HEMT basati su GaN
Second cycle degree programmes dissertations
- Analysis of High-Level Injection in SCR-LDMOS for Enhanced ESD Protection of Smart Power Technology
- Studio dell'elettrostatica e del trasporto di carica in dispositivi nanosheet basati su InGaAs
