Parole chiave:
Dispositivi beyond-CMOS
Modellistica di dispositivi a semiconduttore
Nanoelettronica
L'attività scientifica di EG ha riguardato diversi aspetti della
Microelettronica, tra cui la fisica, la modellistica e la
caratterizzazione di dispositivi post-CMOS e di memorie non
volatili ad intrappolamento di carica. Si è occupata dello studio
dei fenomeni di trasporto di carica nei semiconduttori e delle
problematiche numeriche ad esso correlate, con particolare
riferimento ai fenomeni quantistici in nanofili di silicio (NW),
nanotubi di carbonio (CNT) e nanostrisce di grafene (GNR), che
rappresentano potenziali candidati per le future generazioni di
dispositivi per la nanoelettronica.
EG ha sviluppato nuovi strumenti di simulazione in grado di
mettere in conto non solo gli effetti quantici legati al
confinamento laterale delle cariche, ma anche quelli che
influenzano il trasporto nei dispositivi con lunghezze di canale a
dimensione deca-nanometrica, quali l'effetto tunnel banda a banda e
il trasporto quasi balistico, comunemente trascurati dai
simulatori semiclassici tradizionali. Ella ha inoltre studiato
approfonditamente il problema della variazione delle proprietà
elettroniche dei semiconduttori che si verifica quando le
dimensioni della sezione trasversa del dispositivo si riducono a
pochi nanometri e, segnatamente, gli effetti di
non-parabolicità della relazione di dispersione E(k) alle alte
energie e il loro effetto sulle prestazioni dei
dispositivi.
Attualmente si occupa dello studio di dispositivi di nuova
concezione in grado di ridurre il consumo di po-tenza dei circuiti
integrati. Infatti la dissipazione di potenza è divenuta l'aspetto
più importante per l'elettroni-ca di oggi poiché pone un limite
alla massima frequenza di clock e, pertanto, alle prestazioni
ottenibili della singola unità di elaborazione. Da qui la necessità
di studiare approfonditamente nuove tipologie di dispositivi che
consentono di ottenere una transizione dallo stato OFF a quello ON
più rapida del limite di 60mV/decade ottenibili dai dispositivi
attuali, cosa che permetterebbe una riduzione della corrente di
perdita sotto soglia e, pertanto, della tensione di
alimentazione.
