Elena Gnani

Tesi Triennale e Magistrale in collaborazione con il CNR Bologna: L'argomento si presta per tesi sia magistrali che specialistiche, che differiranno per la complessità e/o la quantità delle misure da effettuare ed interpretare.
- L'attività sarà: misure di corrente-tensione (I-V) e/o capacità-tensione (C-V), in funzione della temperatura di misura, su dispositivi elettronici in carburo di silicio.
- I dispositivi potranno essere: diodi bipolari, diodi unipolari, barre di Hall MOSFETs, dispositivi van der Pauw, metalizzazioni su dispositivi a geometria transmission line.
- Lo scopo delle misure sarà: caratterizzare i processi di fabbricazione dei dispositivi stessi.
- Le postazioni di lavoro saranno: un sistema parametrico per le caratterizzazioni I-V e C-V di dispositivi elettronici a livello di fetta (i due probe al 2° piano), un sistema di misure di effetto Hall
- Competenze richieste: conoscenza del funzionamento dei dispositivi elettronici a materiale semiconduttore, utilizzo di multimetri e dei relativi manuali, potrebbe essere utile conoscere già Labview nel caso si voglia costruire una nuova postazione di misura o fare delle implementazioni di misura.

Tesi Triennale - Studio dell'interfaccia utente Composer per la programmazione del processore quantistico di IBM

Le porte quantistiche sono i mattoni elementari per il calcolo quantistico, agendo sui qubit nello stesso modo in cui le porte della logica classica agiscono sui bit per cambiare il loro stato in maniera controllabile. L'attività di tesi triennale riguarderà lo studio dell'interfaccia utente Composer per la programmazione del processore quantistico reso disponibile da IBM al fine di simulare quantisticamente un semplice algoritmo binario.

Tesi Triennale - Sviluppo di un'interfaccia utente per il caricamento di software sul portale nanoHUB

Il portale nanoHUB offre strumenti di simulazione interattiva per nanotecnologie, che sono accessibili via web agli utenti registrati e che vengono eseguiti tramite una rete di calcolo distribuita presso la Purdue University. Durante l'attività di tesi triennale si dovranno sviluppare i blocchi software necessari per interfacciare un codice sviluppato dal gruppo di ricerca con il portare nanoHUB. Lo scopo è quello di rendere disponibile questo codice a tutta la comunità scientifica.

Tesi Magistrale - Studio di dispositivi Ferroelectric FET per applicazioni a basso consumo

La tesi si occuperà dello studio di nuovi dispositivi dotati della capacità di aumentare drasticamente la rapidità della transizione dallo stato OFF allo stato ON dei dispositivi MOSFET in modo da abbattere contestualmente le correnti di perdita a tensione di gate nulla. In particolare verrà affrontato lo studio e l’ottimizzazione del transistore Fe-FET che è uno dei dispositivi elettronici attualmente più studiati in letteratura come possibile candidato per una logica a basso consumo.