Formazione
Claudio Fiegna ha ricevuto la laurea in Ingegneria Elettronica presso l'Università degli Studi di Bologna.
Esperienza lavorativa all'estero
Nel periodo Luglio 1992 – Luglio 1993 ha lavorato presso gli
“ULSI Research Laboratories” della Toshiba Corporation a Kawasaki,
Giappone, nell'ambito di una collaborazione con l'Università di
Bologna.
L'attività svolta in tale contesto è consistita in uno studio
teorico riguardo la fattibilità di tecnologie CMOS con lunghezze di
gate ridotte fino a 25 nm. Essa ha portato alla fabbricazione di
transistori MOS con lunghezza di gate di 40 nm nel 1993. Si
trattava all'epoca dei dispositivi più corti mai realizzati.
Carriera accademica
Dal 1994 al 1999 è stato Ricercatore Universitario presso
l'Università di Ferrara e dal 1999 al settembre 2004 è stato
Professore Associato di Elettronica presso la medesima
Università.
Attualmente Claudio Fiegna è Professore Ordinario di Elettronica
presso la Scuola di Ingegneria dell'Università di Bologna, sede di
Cesena.
Da novembre 2008 a dicembre 2014 è stato coordinatore del Corso
di Dottorato di Ricerca in "Tecnologie dell'Informazione" presso il
Centro di Ricerca ARCES dell'Università di Bologna.
Da novembre 2010 a marzo 2015 è stato direttore del Centro di
Ricerca sui Sistemi Elettronici per le Tecnologie dell'Informazione
e le Telecomunicazioni "Ercole De Castro" (ARCES).
Da novembre 2015 a maggio 2017 è stato coordinatore del corso di laurea triennale in Ingegneria Elettronica per l'energia e l'informazione e del corso di laurea magistrale in Ingegneria Elettronica e delle Telecomunicazioni per l'energia.
Da ottobre 2018 é responsabile dell'unità operativa di Cesena del Dipartimento DEI.
Attività scientifica
I suoi principali interessi scientifici riguardano la
simulazione numerica di dispositivi a semiconduttore e la sua
applicazione al'analisi di strutture MOS avanzate e di celle
fotovoltaiche al silicio. Si occupa inoltre di caratterizzazione
sperimentale e modellistica di rumore in dispositivi CMOS.
Nel 1997 e 1998 è stato membro della commissione tecnica
“Modeling and Simulation” della conferenza internazionale
“International Electron Device Meeting”.
E' stato membro e della
commissione per il conferimento dell'Education Award per meriti
nell'attività didattica nel campo dei dispositivi a semiconduttore e del premio Brunetti Awards organizzati dalla Electron Device Society della IEEE
E' stato coordinatore di unità di ricerca locali nell'ambito dei
programmi di rilevante interesse nazionale PRIN 2000, PRIN 2002,
PRIN 2004 e PRIN 2006; inoltre, ha contribuito all'attività tecnica
e di coordinamento nell'ambito di numerosi progetti europei: NESTOR
(Vth F.P.), rete di eccellenza SINANO (VIth F.P.), PULLNANO I.P
(VIth F.P), rete di eccellenza NANOSIL (VIIth F.P.), progetti ENiAC-ERG, ECSEL R2POWER300, R3POWERUP.
Ha coordinato o coordina programmi di ricerca congiunti con
industrie produttrici di circuiti integrati (Infineon Technologies,
Monaco di Baviera, Germania), celle fotovoltaiche (Applied
Materials, Santa Clara Ca. USA) e transistori di potenza in Nitruro di Gallio (IMEC, Belgium)
