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Beatrice Fraboni

Professoressa ordinaria

Dipartimento di Fisica e Astronomia "Augusto Righi"

Settore scientifico disciplinare: FIS/03 FISICA DELLA MATERIA

Direttrice Collegio Superiore

Presidente Istituto di Studi Superiori

Pubblicazioni

B.Fraboni; A.Cavallini; W.Dusi, Damage induced by ionizing radiation on CdZnTe and CdTe detectors, «IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE», 2004, 51, pp. 1209 - 1214 [articolo]

A.Cavallini; B.Fraboni; F.Capotondi; L.Sorba; G.Biasiol, Deep levels in MBE grown AlGaAs/GaAs heterostructures, «MICROELECTRONIC ENGINEERING», 2004, 73, pp. 954 - 959 [articolo]

M.Zanarini; P.Chirco; W.Dusi; N.Auricchio; A.Cavallini; B.Fraboni; P.Siffert; M.Bianconi, Radiation damage induced by 2 MeV protons in CdTe and CdZnTe planar detectors, «NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION B, BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS», 2004, 213, pp. 315 - 319 [articolo]

B.Fraboni; A.Cavallini; N.Auricchio; M.Zanarini; W.Dusi; P.Siffert, Recovery of radiation damage in CdTe and CdZnTe detectors, in: 14th International Workshop on Room Temperature X and gamma-ray Semiconductor Detectors, NSS-RTDS, ROMA, E.Perillo, 2004(atti di: 14th International Workshop on Room Temperature X and gamma-ray Semiconductor Detectors, NSS-RTDS, Roma,Italia, Ottobre 2004) [Contributo in Atti di convegno]

F. Capotondi; G. Biasiol; I. Vobornik; F. Giazotto; L. Sorba; A. Cavallini; B. Fraboni, Two dimensional electron gas formation in undoped In0.75Ga0.25As/In0.75Al0.25As quantum well, «JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY. B», 2004, 22, pp. 702 - 706 [articolo]

Mendez B.; Piqueras J.; Cavallini A.; Fraboni B., Study of defects in implanted GaAs: Te by cathodoluminescence, «MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY», 1994, 24, pp. 138 - 140 [articolo]

Cavalcoli D.; Cavallini A.; Fraboni B., The injection dose effect on the evaluation of bulk and surface parameters in semiconductors, «PHILOSOPHICAL MAGAZINE. B. PHYSICS OF CONDENSED MATTER. STRUCTURAL, ELECTRONIC, OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES», 1994, 70, pp. 1095 - 1110 [articolo]

Cavallini A.; Fraboni B.; Cavalcoli D., Evaluation of diffusion length and surface recombination velocity in semiconductor devices by the method of moments, «JOURNAL OF APPLIED PHYSICS», 1992, 71, pp. 5964 - 5968 [articolo]

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