Beatrice Fraboni

Studio delle proprietà optoelettroniche di materiali semiconduttori organici e inorganici. Analisi delle proprietà di dispositivi e sensori a semiconduttori organici e inorganici Caratterizzazione delle proprietà di trasporto elettronico e del danno indotto da irraggiamento con particelle cariche e radiazione ionizzante mediante l'analisi dell'attività elettrica di difetti reticolari.


L'attività di ricerca è di tipo sperimentale e dedicata allo studio delle proprietà fisiche di materiali semiconduttori. L'attenzione è centrata sui processi trasporto elettronico e optoelettronico sia in semiconduttori a matrice inorganica (CdTe, leghe ternarie II-VI, InGaP/GaAs, GaN, GaAs) e organica (pentacene, tiofeni e cristalli singoli), sia in dispositivi innovativi che utilizzano tale materiali come elemento attivo, quali ad esempio transitors a film sottile, rivelatori a temperatura ambiente per raggi X, dispositivi ad alta potenza e frequenza e sensori flessibili e trasparenti. La caratterizzazione delle proprietà di trasporto elettronico avviene mediante lo studio dell'attività elettrica di difetti reticolari del materiale che generano livelli profondi nel gap di energia proibita. E' studiata l'alterazione della struttura reticolare a seguito dell'impiantazione di ioni (ad esempio Fe) che attivano livelli profondi in grado di alterare i processi di trasporto optoelettronico, ovvero a seguito di danneggiamento reticolare prodotto da irraggiamento con radiazione ionizzante. Lo studio riguarda sia i difetti nativi che quelli indotti da irraggiamento o da processo e si estende alla correlazione fra le loro proprietà e l'effetto sul trasporto e sull'efficienza ottica di dispositivi.
Studio delle modificazioni indotte nella distribuzione della densità degli stati elettronici attivi nei processi di trasporto di carica e correlazione a modificazioni strutturali e morfologiche del materiale