Modellistica e simulazione numerica di transistori e sensori a semiconduttore
1) Modelli numerici per la simulazione degli effetti quantistici di confinamento e di trasporto in transistori basati su silicio, semiconduttori composti III-V, nanotubi e nanostrisce di carbonio e materiali semiconduttori bidimensionali, tramite soluzione dell'equazione di Schroedinger oppure funzioni di Green di non-equilibrio, con vari modelli di Hamiltoniano. Applicazione di tali metodi allo studio delle proprietà di dispositivi avanzati, quali transistori ad effetto tunnel e dispositivi per il quantum computing.
2) Simulazione di sensori di gas basati su nanotubi di carbonio, prevalentemente tramite strumenti TCAD.
Progetto di circuiti analogici/digitali in tecnologia smart power per
1) radio a bassissimo consumo per applicazioni IoT (wakeup radio)
2) applicazioni di calcolo in memoria basate su matrici di memorie PCM
