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Lezione ESD del 28/4/14 e Seminario Micron Technology
La lezione di ESD del 28/4/14 è annullata causa impegni istituzionali del docente presso la sede di Bologna
In alternativa, si propone comunque la partecipazione al seguente seminario attinente ai temi del corso, presso la sede di "Ingegneria e Scienze Informatiche" di Via Sacchi 3, Aula A, dalle ore 14.30 alle ore 16.30:
Seminario Micron Technology Inc., lunedì 28 aprile 2014
Non-Volatile Memories: emerging technologies and future perspective
Speaker: Marco Sforzin, Principal Engineer, Micron Technology, Inc.
ABSTRACT. La richiesta globale di memoria è in continua espansione ma sempre meno aziende sono in grado di fare gli investimenti tecnologici necessari per competere sul mercato. Poiché sia la tecnologia DRAM che quella Flash NAND è vicina al limite di scalabilità, aumenta il fermento nella ricerca di tecnologie emergenti capaci di proseguire la riduzione di costo che le tecnologie tradizionali non possono più assicurare. Nuove e specifiche applicazioni sempre più complesse, e le richieste di prestazioni migliori aprono la strada a soluzioni di memoria articolate che possono trarre vantaggio dalle specificità di tecnologie diverse. In questo quadro cominciano ad assumere un ruolo significativo le architetture tridimensionali (3D-NAND), la tecnologia a cambiamento di fase (PCM) e in generale quelle basate sullo switching resistivo (ReRAM), la tecnologia magnetica a torsione dello spin (STTMRAM), la tecnologia ferroelettrica (FeRAM) e la tecnologia basata sugli elettroni correlati (CeRAM).
Published on: April 15 2014
