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Andrea Natale Tallarico

Professore a contratto

Dipartimento di Ingegneria dell'Energia Elettrica e dell'Informazione "Guglielmo Marconi"

Assegnista di ricerca

Centro di Ricerca sui Sistemi Elettronici per l'Ingegneria dell'Informazione e delle Telecomunicazioni "Ercole De Castro" - ARCES (Advanced Research Center on Electronic System)

Tutor didattico

Dipartimento di Ingegneria dell'Energia Elettrica e dell'Informazione "Guglielmo Marconi"

Settore scientifico disciplinare: ING-INF/01 ELETTRONICA

Temi di ricerca

Characterization and modeling of Silicon (Si), Silicon carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN) based power devices (Transistors, Diodes) reliability by means of experimental and simulation analyses:

  • Investigation of the trapping/detrapping mechanisms limiting performance and reliability of the power devices;
  • Development and/or calibration of physical models aimed at reproducing the devices degradation.

Examples of degradation mechanisms under investigation: Negative/Positive Bias Temperature Instability, Hot-Carrier, Self-heating effects, Time Dependent Dielectric Breakdown, High Temperature Gate/Reverse Bias, etc.

 

Open positions for Research Grant and PhD Program:

  1. Electrical characterization and TCAD modeling of the GaN-based power HEMT reliability;
  2. TCAD and SPICE modeling of the SiC-based power MOSFET reliability.

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