Indagando sui meccanismi di degradazione che influenzano i MOSFET di potenza SiC, con un focus specifico sull'instabilità della tensione di soglia.
Esplorando difetti al confine e stati dell'interfaccia SiO2/SiC, che contribuiscono alla degradazione.
Valutando le prestazioni operative e la resilienza dei MOSFET di potenza SiC in condizioni di corto circuito.
Implementazione di simulazioni TCAD per migliorare la comprensione dei meccanismi di degradazione nei dispositivi a semiconduttore di potenza.
